高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011588647.2

申请日：

2020-12-28

公开(公告)号：

CN113053997B

公开(公告)日：

2021-06-29

发明(设计)人：

邓小川陶梦玲吴昊刘瑞姜春艳严静融张波

申请人：

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	授权	授权
2021-06-29	公开	公开
2021-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201228

共 50 条

[1]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

[2]

面向高压碳化硅功率器件的沟槽调制型结终端扩展结构 [P].

岳瑞峰 ;

杨同同 ;

王燕 .

中国专利 :CN114551569A ,2022-05-27

[3]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

邓小川 ;

柏思宇 ;

宋凌云 ;

陈茜茜 ;

张波 .

中国专利 :CN105977310A ,2016-09-28

[4]

一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法 [P].

杨勇雄 ;

吴煜东 ;

何多昌 ;

蒋华平 ;

李诚瞻 ;

赵艳黎 ;

吴佳 ;

唐龙谷 .

中国专利 :CN103824878B ,2014-05-28

[5]

碳化硅功率器件终端结构的制造方法 [P].

颜世桃 ;

郑渚 ;

杨彬 ;

李程 ;

丁庆 .

中国专利 :CN108447896B ,2018-08-24

[6]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318A ,2025-07-25

[7]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318B ,2025-09-19

[8]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

张腾 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118738095A ,2024-10-01

[9]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

张腾 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118738095B ,2025-03-04

[10]

碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN117423720A ,2024-01-19

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