一种采用欠电位沉积技术制备复合铜纳米线的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610041385.5
申请日
2016-01-21
公开(公告)号
CN105483795B
公开(公告)日
2016-04-13
发明(设计)人
王文韬 马海翔
申请人
申请人地址
511458 广东省广州市南沙区海滨路1121号
IPC主分类号
C25D1110
IPC分类号
C25D338 C25D512 C25D510
代理机构
广州番禺容大专利代理事务所(普通合伙) 44326
代理人
刘新年
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种Cr3Al纳米线的制备方法 [P]. 
陈贵锋 ;
刘婉 ;
秦爽 ;
张辉 ;
刘国栋 .
中国专利 :CN106048673B ,2016-10-26
[2]
一种铜纳米线的制备方法 [P]. 
张治军 ;
张晟卯 ;
张玉娟 .
中国专利 :CN103084581A ,2013-05-08
[3]
一种柏树叶状铂铜超晶格纳米结构的制备方法 [P]. 
郑立军 ;
杨大驰 .
中国专利 :CN105926019B ,2016-09-07
[4]
铜纳米线的制备方法及其制备的铜纳米线 [P]. 
毕曙光 ;
贾丽萍 ;
肖明 ;
朱全全 ;
冉建华 ;
姜会钰 ;
权衡 ;
倪丽杰 .
中国专利 :CN114603154B ,2025-03-21
[5]
铜纳米线的制备方法及其制备的铜纳米线 [P]. 
毕曙光 ;
贾丽萍 ;
肖明 ;
朱全全 ;
冉建华 ;
姜会钰 ;
权衡 ;
倪丽杰 .
中国专利 :CN114603154A ,2022-06-10
[6]
一种纳米线的激光沉积制备方法 [P]. 
廖荣生 .
中国专利 :CN106756809A ,2017-05-31
[7]
一种有序金属纳米线阵列的制备方法 [P]. 
刘敏 ;
梁艳清 ;
陈国柱 .
中国专利 :CN112481660A ,2021-03-12
[8]
一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法 [P]. 
薛方红 ;
汪晓允 ;
黄昊 ;
刘璐 ;
董星龙 .
中国专利 :CN103757688A ,2014-04-30
[9]
一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜 [P]. 
刘萍 ;
王亚雄 ;
曾葆青 ;
刘黎明 ;
杨健君 .
中国专利 :CN108695014A ,2018-10-23
[10]
一种铜纳米线复合有机水凝胶的制备方法 [P]. 
俞书宏 ;
谷艺峰 ;
从怀萍 ;
秦海利 .
中国专利 :CN112831061B ,2021-05-25