经由物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780071488.9

申请日：

2017-11-16

公开(公告)号：

CN109964303A

公开(公告)日：

2019-07-02

发明(设计)人：

伟民·郑勇·曹丹尼尔·李·迪尔慧雄·戴科伊·潘克里斯托弗·恩加伊汪荣军唐先明

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213205

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171116
2019-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶硅的物理气相沉积中的颗粒减少 [P].

房裴娇 ;

李明东 ;

刘程玉 .

美国专利 :CN119856250A ,2025-04-18

[2]

经由物理气相沉积工艺沉积介电膜的方法 [P].

曾伟民 ;

清·X·源 ;

程亚娜 ;

曹勇 ;

丹尼尔·李·迪尔 ;

斯里尼瓦斯·古吉拉 ;

汪荣军 ;

唐先民 .

中国专利 :CN108064411A ,2018-05-22

[3]

物理气相沉积装置及物理气相沉积方法 [P].

汤本敦史 ;

丹羽直毅 ;

广木富士男 ;

山本刚久 .

中国专利 :CN102131951A ,2011-07-20

[4]

兼容原子层沉积和物理气相沉积的设备 [P].

李怀健 ;

安扬 ;

金贞 ;

田清勇 ;

范斌 ;

戴忠和 ;

武笑雨 .

中国专利 :CN223214172U ,2025-08-12

[5]

高温沉积非晶碳层的方法 [P].

马丁·杰西蒙斯 ;

尤加南德·N·萨利帕里 ;

光得·道格拉斯·李 ;

博·恒·金 ;

维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ;

温蒂·H·叶 ;

约瑟芬·汝－伟·张刘 ;

埃米尔·阿拉－巴亚提 ;

德里克·R·维迪 ;

伊沙姆·迈'萨德 .

中国专利 :CN101407909A ,2009-04-15

[6]

物理气相沉积设备和物理气相沉积方法 [P].

李扬德 ;

卢昆 ;

高宽 .

中国专利 :CN107723675A ,2018-02-23

[7]

用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备 [P].

陈杰锋 ;

张辉 .

中国专利 :CN108950510A ,2018-12-07

[8]

用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备 [P].

陈杰锋 ;

李理 .

中国专利 :CN208667840U ,2019-03-29

[9]

用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备 [P].

白志民 ;

李萌 ;

邱国庆 ;

佘清 ;

王厚工 ;

赵梦欣 ;

丁培军 .

中国专利 :CN106637124A ,2017-05-10

[10]

物理气相沉积设备、物理气相沉积工艺的控制方法 [P].

杨帆 .

中国专利 :CN118854231A ,2024-10-29

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