高温沉积非晶碳层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810211588.X

申请日：

2008-10-08

公开(公告)号：

CN101407909A

公开(公告)日：

2009-04-15

发明(设计)人：

马丁·杰西蒙斯尤加南德·N·萨利帕里光得·道格拉斯·李博·恒·金维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南温蒂·H·叶约瑟芬·汝－伟·张刘埃米尔·阿拉－巴亚提德里克·R·维迪伊沙姆·迈'萨德

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C23C16455 C23C1652

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-15	公开	公开
2012-02-15	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101284929204 IPC(主分类):C23C 16/26 专利申请号:200810211588X 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2012-12-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101489385057 IPC(主分类):C23C 16/26 专利申请号:200810211588X 申请公布日:20090415
2009-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非晶碳膜的分子层沉积 [P].

巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ;

马克·沙丽 ;

阿布海杰特·巴苏·马利克 ;

尤金·于金·空 ;

齐波 .

中国专利 :CN113373429A ,2021-09-10

[2]

沉积具有改进密度与阶梯覆盖的非晶碳膜的方法 [P].

迪内士·帕德希 ;

哈阳成 ;

苏达·拉西 ;

德里克·R·维迪 ;

程秋 ;

朴贤秀 ;

加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ;

卡希克·贾纳基拉曼 ;

马丁·杰·西蒙斯 ;

维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ;

金柏涵 ;

伊沙姆·迈’萨德 .

中国专利 :CN101981659A ,2011-02-23

[3]

无定型碳层的低温沉积方法 [P].

唐桑叶 ;

栾辛乔 ;

克旺达克·道格拉斯·李 ;

金博宏 .

中国专利 :CN101122011A ,2008-02-13

[4]

超高选择性的掺杂非晶碳可剥除硬掩模的开发与集成 [P].

M·J·西蒙斯 ;

S·拉蒂 ;

K·D·李 ;

D·帕德希 ;

金秉宪 ;

C·陈 .

中国专利 :CN103210480A ,2013-07-17

[5]

经由物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法 [P].

伟民·郑 ;

勇·曹 ;

丹尼尔·李·迪尔 ;

慧雄·戴 ;

科伊·潘 ;

克里斯托弗·恩加伊 ;

汪荣军 ;

唐先明 .

中国专利 :CN109964303A ,2019-07-02

[6]

非晶碳层的打开处理 [P].

秦策 ;

谭忠魁 ;

毛伊莎 ;

金艳莎 ;

奥斯汀·凯西·福西特 .

美国专利 :CN111684567B ,2025-04-11

[7]

非晶碳层的打开处理 [P].

秦策 ;

谭忠魁 ;

毛伊莎 ;

金艳莎 ;

奥斯汀·凯西·福西特 .

中国专利 :CN111684567A ,2020-09-18

[8]

解决在高温非晶碳沉积的厚膜沉积期间的自发电弧 [P].

许璐 ;

B·S·权 ;

V·卡尔塞卡尔 ;

V·K·普拉巴卡尔 ;

P·K·库尔施拉希萨 ;

D·H·李 ;

K·D·李 .

中国专利 :CN112041480A ,2020-12-04

[9]

改良堆迭缺陷率的非晶碳沉积方法 [P].

于航 ;

D·帕德希 ;

蔡曼平 ;

N·尤施达 ;

缪丽妍 ;

郑兆辉 ;

S·沙克 ;

朴贤秀 ;

H·L·朴 ;

B·H·金 .

中国专利 :CN102939641A ,2013-02-20

[10]

非晶碳-非晶硒复印感光体(复印鼓) [P].

王若宝 ;

何大韧 .

中国专利 :CN1005655B ,1988-01-13

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