无定型碳层的低温沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710110775.4

申请日：

2007-06-13

公开(公告)号：

CN101122011A

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

唐桑叶栾辛乔克旺达克·道格拉斯·李金博宏

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1626

IPC分类号：

C23C1652 C23C16455 H01L21033

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

赵飞

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-13	公开	公开
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101062888784 IPC(主分类):C23C 16/26 专利申请号:2007101107754 公开日:20080213

共 50 条

[1]

高温沉积非晶碳层的方法 [P].

马丁·杰西蒙斯 ;

尤加南德·N·萨利帕里 ;

光得·道格拉斯·李 ;

博·恒·金 ;

维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ;

温蒂·H·叶 ;

约瑟芬·汝－伟·张刘 ;

埃米尔·阿拉－巴亚提 ;

德里克·R·维迪 ;

伊沙姆·迈'萨德 .

中国专利 :CN101407909A ,2009-04-15

[2]

用于无定型碳膜的化学气相沉积的液体前驱体 [P].

马丁·杰伊·瑟默恩斯 ;

温迪·H·叶 ;

苏达哈·S·R·拉蒂 ;

迪奈什·帕德海 ;

安迪(信朝)·路安 ;

萨姆－叶·贝蒂·唐 ;

普里亚·库尔卡尼 ;

维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ;

金博宏 ;

海澈姆·穆萨德 ;

玉香·梅·王 ;

迈克尔·丘·宽 .

中国专利 :CN1930320A ,2007-03-14

[3]

沉积层的方法 [P].

K·兰布赖特 ;

D·里默 ;

G·R·尼考尔 ;

S·朱尔卡 ;

J·倪 .

英国专利 :CN119855793A ,2025-04-18

[4]

沉积用于金属刻蚀硬掩模应用的无定型碳膜的方法 [P].

玉祥·梅·王 ;

戴维·R·比瑞士 ;

克里斯多佛·丹尼斯·本彻 ;

海尔多·L·布太霍 ;

苏哈·S·R·瑞斯 ;

迈克尔·楚·卡万 .

中国专利 :CN1930670A ,2007-03-14

[5]

沉积材料层的方法 [P].

L-Y·陈 ;

D·A·卡尔 ;

I·拜恩格拉斯 .

中国专利 :CN100471984C ,2005-01-19

[6]

一种无定型碳的制备方法 [P].

李明科 ;

张中伟 ;

阮晓莉 ;

黄兴兰 ;

廖小东 ;

李玉龙 .

中国专利 :CN113942992A ,2022-01-18

[7]

阻挡层的无电沉积 [P].

R·梅利斯 .

中国专利 :CN101925691A ,2010-12-22

[8]

连续铂层的无电沉积 [P].

尤金尼厄斯·诺尔库斯 ;

阿尔冬娜·亚格米妮 ;

阿宾娜·齐列内 ;

伊娜·斯坦科维 ;

洛蕾塔·塔玛萨凯特-塔玛修纳特 ;

安鲁达哈·乔伊 ;

耶兹迪·多尔迪 .

中国专利 :CN104851837A ,2015-08-19

[9]

一种低温沉积硅碳氮氧分子薄膜的方法 [P].

陈波 ;

李楠 ;

李培源 ;

夏洋 .

中国专利 :CN112824559A ,2021-05-21

[10]

由前体单体沉积氟化层的方法 [P].

弗朗索瓦·雷尼尔 ;

尼古拉斯·范登卡斯蒂尔 ;

奥利维耶·布里 .

中国专利 :CN101821020A ,2010-09-01

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