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沉积层的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380064065.X
申请日：
2023-09-06
公开(公告)号：
CN119855793A
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
K·兰布赖特 D·里默 G·R·尼考尔 S·朱尔卡 J·倪
申请人：
皮尔金顿集团有限公司
申请人地址：
英国
IPC主分类号：
C03C17/245
IPC分类号：
C03C17/34 C23C18/12
代理机构：
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人：
李跃龙
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C03C 17/245申请日:20230906
2025-04-18 公开 公开
共 50 条
[1]
沉积材料层的方法 [P]. 
L-Y·陈 ;
D·A·卡尔 ;
I·拜恩格拉斯 .
中国专利 :CN100471984C ,2005-01-19
[2]
用于沉积有机层的方法和设备 [P]. 
H.A.吉斯 ;
A.杰奥尔吉 ;
J.R.宾德尔 ;
D.K.苏布兰马尼安姆 ;
T.谢弗 ;
D.基珀 ;
O.M.维尔辛格 .
德国专利 :CN115066513B ,2024-11-01
[3]
高温沉积非晶碳层的方法 [P]. 
马丁·杰西蒙斯 ;
尤加南德·N·萨利帕里 ;
光得·道格拉斯·李 ;
博·恒·金 ;
维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ;
温蒂·H·叶 ;
约瑟芬·汝－伟·张刘 ;
埃米尔·阿拉－巴亚提 ;
德里克·R·维迪 ;
伊沙姆·迈'萨德 .
中国专利 :CN101407909A ,2009-04-15
[4]
用于沉积有机层的方法和设备 [P]. 
H.A.吉斯 ;
A.杰奥尔吉 ;
J.R.宾德尔 ;
D.K.苏布兰马尼安姆 ;
T.谢弗 ;
D.基珀 ;
O.M.维尔辛格 .
中国专利 :CN115066513A ,2022-09-16
[5]
无定型碳层的低温沉积方法 [P]. 
唐桑叶 ;
栾辛乔 ;
克旺达克·道格拉斯·李 ;
金博宏 .
中国专利 :CN101122011A ,2008-02-13
[6]
原子层沉积方法 [P]. 
D·H·李维 .
中国专利 :CN101415860A ,2009-04-22
[7]
由前体单体沉积氟化层的方法 [P]. 
弗朗索瓦·雷尼尔 ;
尼古拉斯·范登卡斯蒂尔 ;
奥利维耶·布里 .
中国专利 :CN101821020A ,2010-09-01
[8]
硬铬层的电沉积方法 [P]. 
赫尔穆特·霍舍姆克 .
中国专利 :CN102257184A ,2011-11-23
[9]
原子层沉积光刻技术 [P]. 
B·吴 ;
A·库玛 ;
O·那拉玛苏 .
中国专利 :CN104115257A ,2014-10-22
[10]
形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法 [P]. 
L·R·达哈尔 ;
D·M·内尔森 ;
J·倪 ;
D·A·斯特里克勒 ;
S·瓦拉纳斯 .
中国专利 :CN111051567A ,2020-04-21
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