形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880056124.8

申请日：

2018-08-31

公开(公告)号：

CN111051567A

公开(公告)日：

2020-04-21

发明(设计)人：

L·R·达哈尔 D·M·内尔森 J·倪 D·A·斯特里克勒 S·瓦拉纳斯

申请人：

申请人地址：

英国兰开夏郡

IPC主分类号：

C23C1640

IPC分类号：

C23C1654 C03C1700 C23C16453

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李跃龙

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-21	公开	公开
2020-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/40 申请日:20180831

共 50 条

[1]

在玻璃基板上沉积二氧化硅涂层的化学气相沉积工艺 [P].

D·M·内尔森 ;

M·M·拉德特克 ;

S·E·菲利普斯 .

中国专利 :CN104136656B ,2014-11-05

[2]

在玻璃基板上形成氧化硅涂层的方法 [P].

D·M·内尔森 .

中国专利 :CN103946173B ,2014-07-23

[3]

用于沉积钛氧化物涂层的化学气相沉积工艺 [P].

S·瓦拉纳西 ;

J·倪 ;

D·M·尼尔森 .

中国专利 :CN106687423B ,2017-05-17

[4]

通过化学气相沉积形成涂层的方法 [P].

埃里克·布永 ;

本杰明·科苏 ;

塞德里克·德康 ;

阿克塞尔·勒·多兹 ;

乔治·肖隆 ;

纪尧姆·库尼亚 .

法国专利 :CN120981599A ,2025-11-18

[5]

一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109166787B ,2019-01-08

[6]

氮化硅的化学气相沉积方法 [P].

R·S·伊叶尔 ;

S·M·佐伊特 ;

S·坦登 ;

E·A·C·桑切斯 ;

S·王 .

中国专利 :CN101228292B ,2008-07-23

[7]

氧化铋的化学气相沉积 [P].

乔治·安德鲁·纽曼 ;

卡尔·汉瑞奇·伯劳斯 .

中国专利 :CN1039625A ,1990-02-14

[8]

化学气相沉积方法和涂层 [P].

N·A·斯奈德 ;

D·A·史密斯 ;

L·D·帕特森 ;

J·B·马特泽拉 .

美国专利 :CN117980530A ,2024-05-03

[9]

化学气相沉积方法 [P].

周云 ;

宋维聪 .

中国专利 :CN111235547B ,2020-06-05

[10]

通过常压化学气相沉积沉积氧化硅 [P].

R·C·史密斯 ;

J·L·斯特里克 .

中国专利 :CN103958731A ,2014-07-30

← 1 2 3 4 5 →