一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810977212.3

申请日：

2018-08-26

公开(公告)号：

CN109166787B

公开(公告)日：

2019-01-08

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

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法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	授权	授权
2021-04-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20210402 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥安德科铭半导体科技有限公司变更后权利人:铜陵安德科铭电子材料科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区变更后权利人:244000 安徽省铜陵市经济开发区东部园区临津路
2019-01-08	公开	公开
2019-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180826

共 50 条

[1]

一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109585264A ,2019-04-05

[2]

形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法 [P].

L·R·达哈尔 ;

D·M·内尔森 ;

J·倪 ;

D·A·斯特里克勒 ;

S·瓦拉纳斯 .

中国专利 :CN111051567A ,2020-04-21

[3]

氮化硅的化学气相沉积方法 [P].

R·S·伊叶尔 ;

S·M·佐伊特 ;

S·坦登 ;

E·A·C·桑切斯 ;

S·王 .

中国专利 :CN101228292B ,2008-07-23

[4]

氧化铋的化学气相沉积 [P].

乔治·安德鲁·纽曼 ;

卡尔·汉瑞奇·伯劳斯 .

中国专利 :CN1039625A ,1990-02-14

[5]

化学气相沉积方法 [P].

周云 ;

宋维聪 .

中国专利 :CN111235547B ,2020-06-05

[6]

通过常压化学气相沉积沉积氧化硅 [P].

R·C·史密斯 ;

J·L·斯特里克 .

中国专利 :CN103958731A ,2014-07-30

[7]

化学气相沉积装置、化学气相沉积方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103060772B ,2013-04-24

[8]

一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

徐思远 ;

吴茂敏 ;

张璇 ;

白孟孟 ;

庞锦涛 .

中国专利 :CN120649000A ,2025-09-16

[9]

一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

徐思远 ;

吴茂敏 ;

张璇 ;

白孟孟 ;

庞锦涛 .

中国专利 :CN120649000B ,2025-12-16

[10]

化学气相渗透或化学气相沉积方法 [P].

让·弗朗索瓦·丹尼尔·雷内·波丁 .

中国专利 :CN113242914A ,2021-08-10

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