一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511157407.X

申请日：

2025-08-19

公开(公告)号：

CN120649000B

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

曹建伟朱凌锋徐思远吴茂敏张璇白孟孟庞锦涛

申请人：

浙江求是创芯半导体设备有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市临平区临平街道经济技术开发区顺达路500号1幢103室

IPC主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/50

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

杨梦欢

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-16	公开	公开
2025-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/40申请日:20250819
2025-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备 [P].

曹建伟 ;

朱凌锋 ;

徐思远 ;

吴茂敏 ;

张璇 ;

白孟孟 ;

庞锦涛 .

中国专利 :CN120649000A ,2025-09-16

[2]

气相沉积设备和气相沉积方法 [P].

胡冬冬 .

中国专利 :CN108048820A ,2018-05-18

[3]

一种气相沉积设备及沉积薄膜的方法 [P].

范荣伟 ;

林军 .

中国专利 :CN117795121A ,2024-03-29

[4]

氧化硅薄膜的沉积 [P].

K·马凯 ;

S·尼曼 .

中国专利 :CN1383194A ,2002-12-04

[5]

一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109166787B ,2019-01-08

[6]

进气装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

张盈盈 .

中国专利 :CN117418216A ,2024-01-19

[7]

通过常压化学气相沉积沉积氧化硅 [P].

R·C·史密斯 ;

J·L·斯特里克 .

中国专利 :CN103958731A ,2014-07-30

[8]

薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

骆金龙 .

中国专利 :CN113718219A ,2021-11-30

[9]

薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 [P].

许波 ;

曹立新 ;

范慧 ;

朱北沂 .

中国专利 :CN103103480A ,2013-05-15

[10]

一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109585264A ,2019-04-05

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