一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810977213.8

申请日：

2018-08-26

公开(公告)号：

CN109585264A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园3号楼5层E区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	公开	公开
2020-12-22	授权	授权
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180826

共 50 条

[1]

一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109166787B ,2019-01-08

[2]

氮化硅的化学气相沉积方法 [P].

R·S·伊叶尔 ;

S·M·佐伊特 ;

S·坦登 ;

E·A·C·桑切斯 ;

S·王 .

中国专利 :CN101228292B ,2008-07-23

[3]

一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 [P].

刘学建 ;

黄莉萍 ;

孙兴伟 .

中国专利 :CN1834288A ,2006-09-20

[4]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[5]

一种氮化硅薄膜的沉积方法 [P].

袁中存 ;

党继东 .

中国专利 :CN106504979B ,2017-03-15

[6]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[7]

氮化硅的热化学气相沉积 [P].

R·S·伊尔 ;

S·M·苏特 ;

J·W·史密斯 ;

G·W·迪贝罗 ;

A·塔姆 ;

B·特兰 ;

S·坦东 .

中国专利 :CN1906326A ,2007-01-31

[8]

氮化硅的热化学气相沉积 [P].

R·S·伊尔 ;

S·M·苏特 ;

J·W·史密斯 ;

G·W·迪贝罗 ;

A·塔姆 ;

B·特兰 ;

S·坦东 .

中国专利 :CN102586757A ,2012-07-18

[9]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[10]

由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 ;

木村孝子 ;

玉置直树 ;

佐藤裕辅 .

中国专利 :CN1685486A ,2005-10-19

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