氮化硅的热化学气相沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210069512.4

申请日：

2004-08-25

公开(公告)号：

CN102586757A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

R·S·伊尔 S·M·苏特 J·W·史密斯 G·W·迪贝罗 A·塔姆 B·特兰 S·坦东

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C1634 C23C16455

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	授权	授权
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327313366 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2012100695124 申请日:20040825
2012-07-18	公开	公开
2019-08-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20040825 授权公告日:20140903 终止日期:20180825

共 50 条

[1]

氮化硅的热化学气相沉积 [P].

R·S·伊尔 ;

S·M·苏特 ;

J·W·史密斯 ;

G·W·迪贝罗 ;

A·塔姆 ;

B·特兰 ;

S·坦东 .

中国专利 :CN1906326A ,2007-01-31

[2]

含氮化硅的热化学气相沉积涂层 [P].

M·袁 ;

J·B·马特泽拉 ;

D·A·史密斯 .

中国专利 :CN107043923A ,2017-08-15

[3]

由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 ;

木村孝子 ;

玉置直树 ;

佐藤裕辅 .

中国专利 :CN1685486A ,2005-10-19

[4]

氮化硅的化学气相沉积方法 [P].

R·S·伊叶尔 ;

S·M·佐伊特 ;

S·坦登 ;

E·A·C·桑切斯 ;

S·王 .

中国专利 :CN101228292B ,2008-07-23

[5]

扩散速率受限的热化学气相沉积涂层 [P].

T·F·韦扎 ;

S·A·孔多 ;

N·P·德斯科维奇 ;

J·B·马特泽拉 ;

P·H·希尔维斯 .

中国专利 :CN107267955A ,2017-10-20

[6]

含氟热化学气相沉积方法和制品 [P].

D·A·史密斯 .

中国专利 :CN109957788A ,2019-07-02

[7]

沉积氮化硅的方法 [P].

L·C·卡鲁塔拉格 ;

M·J·萨利 ;

P·P·杰哈 ;

梁璟梅 .

中国专利 :CN113330141A ,2021-08-31

[8]

一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 [P].

刘学建 ;

黄莉萍 ;

孙兴伟 .

中国专利 :CN1834288A ,2006-09-20

[9]

一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109585264A ,2019-04-05

[10]

一种可进行热化学气相沉积的原位测试平台 [P].

朱大明 ;

李晓龙 ;

刘春泽 ;

顾月良 ;

阴广志 ;

高兴宇 ;

黎忠 .

中国专利 :CN104502367A ,2015-04-08

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