含氮化硅的热化学气相沉积涂层

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611157808.6

申请日：

2016-12-15

公开(公告)号：

CN107043923A

公开(公告)日：

2017-08-15

发明(设计)人：

M·袁 J·B·马特泽拉 D·A·史密斯

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C16455 C23C1630

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

左路

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20161215
2017-08-15	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅的热化学气相沉积 [P].

R·S·伊尔 ;

S·M·苏特 ;

J·W·史密斯 ;

G·W·迪贝罗 ;

A·塔姆 ;

B·特兰 ;

S·坦东 .

中国专利 :CN1906326A ,2007-01-31

[2]

氮化硅的热化学气相沉积 [P].

R·S·伊尔 ;

S·M·苏特 ;

J·W·史密斯 ;

G·W·迪贝罗 ;

A·塔姆 ;

B·特兰 ;

S·坦东 .

中国专利 :CN102586757A ,2012-07-18

[3]

由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 ;

木村孝子 ;

玉置直树 ;

佐藤裕辅 .

中国专利 :CN1685486A ,2005-10-19

[4]

扩散速率受限的热化学气相沉积涂层 [P].

T·F·韦扎 ;

S·A·孔多 ;

N·P·德斯科维奇 ;

J·B·马特泽拉 ;

P·H·希尔维斯 .

中国专利 :CN107267955A ,2017-10-20

[5]

氮化硅的化学气相沉积方法 [P].

R·S·伊叶尔 ;

S·M·佐伊特 ;

S·坦登 ;

E·A·C·桑切斯 ;

S·王 .

中国专利 :CN101228292B ,2008-07-23

[6]

含氟热化学气相沉积方法和制品 [P].

D·A·史密斯 .

中国专利 :CN109957788A ,2019-07-02

[7]

热化学气相沉积分离官能化的方法、产品和涂层 [P].

M·袁 ;

P·H·西尔维斯 ;

D·A·史密斯 ;

J·B·马特泽拉 .

中国专利 :CN106676497A ,2017-05-17

[8]

一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 [P].

刘学建 ;

黄莉萍 ;

孙兴伟 .

中国专利 :CN1834288A ,2006-09-20

[9]

一种氮化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109585264A ,2019-04-05

[10]

用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法 [P].

C·迪萨拉 ;

J－M·吉拉尔 .

中国专利 :CN1596324A ,2005-03-16

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