一种砷化镓晶片的位错测定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110091181.3

申请日：

2021-01-22

公开(公告)号：

CN112964710A

公开(公告)日：

2021-06-15

发明(设计)人：

傅伟力许冲冉东海李勇

申请人：

申请人地址：

404040 重庆市万州区万州经开区高峰园B02

IPC主分类号：

G01N2184

IPC分类号：

G01N128 G01N132

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

张晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	公开	公开
2021-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/84 申请日:20210122

共 50 条

[1]

一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法 [P].

张浩 ;

易明辉 ;

张汪阳 .

中国专利 :CN117448001A ,2024-01-26

[2]

一种磷化铟晶片的位错测定方法 [P].

傅伟力 ;

李勇 ;

刘留 ;

苏小平 .

中国专利 :CN112082992A ,2020-12-15

[3]

一种砷化镓晶片及其制备方法 [P].

任殿胜 ;

朱颂义 ;

赵波 ;

王建利 ;

刘岩 ;

崔杨洲 ;

张春宇 .

中国专利 :CN111379027A ,2020-07-07

[4]

一种晶片的位错腐蚀液及位错腐蚀方法 [P].

练小正 ;

高洁 ;

胡萍 ;

许照原 .

中国专利 :CN116815330B ,2024-07-12

[5]

一种砷化镓晶片背面不良的去除方法 [P].

田玉莲 ;

孙美玉 ;

王国超 ;

周铁军 ;

曾贵州 ;

王金灵 .

中国专利 :CN115050630A ,2022-09-13

[6]

切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法 [P].

刘丽杰 ;

洪庆福 ;

赵波 ;

王元立 ;

刘文森 .

中国专利 :CN105082376A ,2015-11-25

[7]

一种砷化镓晶片生产废水中镓的测定方法 [P].

刘静静 ;

边振涛 ;

赵坤 ;

齐白羽 ;

路军兵 ;

邓永怀 ;

卢昌祥 ;

王卓 ;

侯雪 ;

高正娇 ;

赵和存 ;

杨卓融 .

中国专利 :CN113390804A ,2021-09-14

[8]

一种砷化镓单晶位错坑的腐蚀方法及腐蚀液配方 [P].

刘国军 ;

肖亚东 ;

段静芳 ;

谈笑天 .

中国专利 :CN109023531A ,2018-12-18

[9]

改进砷化镓晶片表面质量的方法 [P].

王永净 ;

陈基生 .

中国专利 :CN114944334A ,2022-08-26

[10]

一种砷化镓单晶片清洗的方法 [P].

杨艺 ;

曹志颖 .

中国专利 :CN106000977A ,2016-10-12

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