一种砷化镓晶片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811619886.2

申请日：

2018-12-28

公开(公告)号：

CN111379027A

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

任殿胜朱颂义赵波王建利刘岩崔杨洲张春宇

申请人：

申请人地址：

101113 北京市通州区工业开发区东二街四号

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B3300 C30B2302 C23C1644 C23C1630 H01S5183

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

钟守期;刘文静

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 29/42 变更事项:专利权人变更前:北京通美晶体技术有限公司变更后:北京通美晶体技术股份有限公司变更事项:地址变更前:101113 北京市通州区工业开发区东二街四号变更后:101113 北京市通州区工业开发区东二街四号
2021-03-16	授权	授权
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/42 申请日:20181228
2020-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种砷化镓晶片的抛光方法 [P].

周铁军 ;

刘锋 ;

肖进龙 ;

刘留 .

中国专利 :CN105382676B ,2016-03-09

[2]

一种砷化镓晶片及其制备方法 [P].

任殿胜 ;

刘宇 ;

朱颂义 .

中国专利 :CN113659017A ,2021-11-16

[3]

一种砷化镓晶片及其制备方法 [P].

任殿胜 ;

刘宇 ;

朱颂义 .

中国专利 :CN113659017B ,2024-03-26

[4]

一种砷化镓单晶片清洗的方法 [P].

杨艺 ;

曹志颖 .

中国专利 :CN106000977A ,2016-10-12

[5]

一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN101081966A ,2007-12-05

[6]

一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

周艳 ;

朱永华 ;

雒建斌 ;

路新春 ;

刘岩 .

中国专利 :CN101475778B ,2009-07-08

[7]

切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法 [P].

刘丽杰 ;

洪庆福 ;

赵波 ;

王元立 ;

刘文森 .

中国专利 :CN105082376A ,2015-11-25

[8]

一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物 [P].

王同庆 ;

黄灿容 ;

顾敏敏 ;

王鑫 ;

顾忠华 ;

潘国顺 .

中国专利 :CN106833389A ,2017-06-13

[9]

一种砷化镓晶片背面不良的去除方法 [P].

田玉莲 ;

孙美玉 ;

王国超 ;

周铁军 ;

曾贵州 ;

王金灵 .

中国专利 :CN115050630A ,2022-09-13

[10]

一种砷化镓晶片的位错测定方法 [P].

傅伟力 ;

许冲 ;

冉东海 ;

李勇 .

中国专利 :CN112964710A ,2021-06-15

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