高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820081206.1

申请日：

2008-05-16

公开(公告)号：

CN201212056Y

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

杨滨

申请人：

申请人地址：

650093云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

代理机构：

昆明今威专利代理有限公司

代理人：

赵云

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	授权	授权
2010-12-22	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101054602160 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2008200812061 申请日:20080516 授权公告日:20090325 放弃生效日:20080516

共 35 条

[1]

高真空离子束溅镀靶材利用率增强装置 [P].

杨滨 .

中国专利 :CN101285169B ,2008-10-15

[2]

高材料利用率的溅镀靶材 [P].

黄宏基 .

中国专利 :CN202099380U ,2012-01-04

[3]

真空离子溅镀靶材 [P].

戴明光 ;

林政乾 .

中国专利 :CN2786147Y ,2006-06-07

[4]

一种真空离子溅镀靶材装置 [P].

周涛 .

中国专利 :CN104561917A ,2015-04-29

[5]

真空镀膜离子束靶座 [P].

万子剑云 ;

李吉庆 ;

徐少宁 .

中国专利 :CN220393884U ,2024-01-26

[6]

一种高场强高靶材利用率的阴极 [P].

张奇龙 ;

李伟 .

中国专利 :CN109735821A ,2019-05-10

[7]

一种高场强高靶材利用率的阴极 [P].

张奇龙 ;

李伟 .

中国专利 :CN209974873U ,2020-01-21

[8]

溅镀靶材的冷却装置 [P].

姚朝祯 .

中国专利 :CN201268720Y ,2009-07-08

[9]

溅镀靶材牌的电子束焊接 [P].

细川昭博 ;

棚濑嘉昭 .

中国专利 :CN1880000A ,2006-12-20

[10]

一种高靶材利用率的磁控溅射阴极 [P].

张奇龙 ;

李伟 .

中国专利 :CN210065899U ,2020-02-14

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