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一种高场强高靶材利用率的阴极
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201920349203.X
申请日
:
2019-03-19
公开(公告)号
:
CN209974873U
公开(公告)日
:
2020-01-21
发明(设计)人
:
张奇龙
李伟
申请人
:
申请人地址
:
310000 浙江省杭州市余杭区良渚街道纳贤街3号1幢4楼
IPC主分类号
:
C23C1435
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-01-21
授权
授权
共 50 条
[1]
一种高场强高靶材利用率的阴极
[P].
张奇龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
张奇龙
;
李伟
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李伟
.
中国专利
:CN109735821A
,2019-05-10
[2]
一种高靶材利用率的磁控溅射阴极
[P].
张奇龙
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张奇龙
;
李伟
论文数:
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0
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李伟
.
中国专利
:CN210065899U
,2020-02-14
[3]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
[P].
张奇龙
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张奇龙
;
李伟
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李伟
.
中国专利
:CN206736351U
,2017-12-12
[4]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
[P].
王志刚
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王志刚
;
张奇龙
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张奇龙
;
王连之
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王连之
;
李伟
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李伟
.
中国专利
:CN209974874U
,2020-01-21
[5]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极
[P].
李伟
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李伟
;
张奇龙
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张奇龙
.
中国专利
:CN108728808A
,2018-11-02
[6]
一种高靶材利用率的平面磁控溅射阴极装置
[P].
匡国庆
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匡国庆
.
中国专利
:CN216074016U
,2022-03-18
[7]
新型高靶材利用率平面磁控溅射阴极
[P].
张诚
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0
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张诚
.
中国专利
:CN107083537B
,2017-08-22
[8]
一种高靶材利用率的强磁溅射阴极
[P].
齐卫冲
论文数:
0
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机构:
长沙元戎科技有限责任公司
长沙元戎科技有限责任公司
齐卫冲
.
中国专利
:CN222593994U
,2025-03-11
[9]
一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极
[P].
汪建
论文数:
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汪建
;
杜寅昌
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杜寅昌
;
李成
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李成
;
程厚义
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程厚义
;
赵巍胜
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赵巍胜
;
张悦
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张悦
.
中国专利
:CN113584449A
,2021-11-02
[10]
一种高靶材利用率的矩形靶
[P].
刘咸成
论文数:
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刘咸成
;
王慧勇
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王慧勇
;
刘嘉宾
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刘嘉宾
;
贾京英
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贾京英
;
龚杰宏
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龚杰宏
.
中国专利
:CN101775588A
,2010-07-14
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