一种高场强高靶材利用率的阴极

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专利类型
实用新型
申请号
CN201920349203.X
申请日
2019-03-19
公开(公告)号
CN209974873U
公开(公告)日
2020-01-21
发明(设计)人
张奇龙 李伟
申请人
申请人地址
310000 浙江省杭州市余杭区良渚街道纳贤街3号1幢4楼
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
代理机构
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共 50 条
[1]
一种高场强高靶材利用率的阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN109735821A ,2019-05-10
[2]
一种高靶材利用率的磁控溅射阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN210065899U ,2020-02-14
[3]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P]. 
张奇龙 ;
李伟 .
中国专利 :CN206736351U ,2017-12-12
[4]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P]. 
王志刚 ;
张奇龙 ;
王连之 ;
李伟 .
中国专利 :CN209974874U ,2020-01-21
[5]
一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 [P]. 
李伟 ;
张奇龙 .
中国专利 :CN108728808A ,2018-11-02
[6]
一种高靶材利用率的平面磁控溅射阴极装置 [P]. 
匡国庆 .
中国专利 :CN216074016U ,2022-03-18
[7]
新型高靶材利用率平面磁控溅射阴极 [P]. 
张诚 .
中国专利 :CN107083537B ,2017-08-22
[8]
一种高靶材利用率的强磁溅射阴极 [P]. 
齐卫冲 .
中国专利 :CN222593994U ,2025-03-11
[9]
一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极 [P]. 
汪建 ;
杜寅昌 ;
李成 ;
程厚义 ;
赵巍胜 ;
张悦 .
中国专利 :CN113584449A ,2021-11-02
[10]
一种高靶材利用率的矩形靶 [P]. 
刘咸成 ;
王慧勇 ;
刘嘉宾 ;
贾京英 ;
龚杰宏 .
中国专利 :CN101775588A ,2010-07-14