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磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910149068.9
申请日：
2014-11-14
公开(公告)号：
CN109943814A
公开(公告)日：
2019-06-28
发明(设计)人：
荻野真一
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
C23C1434
IPC分类号：
B22F314 C22C504 G11B5851
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
杨海荣;穆德骏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-06-28 公开 公开
2021-04-20 授权 授权
2019-07-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20141114
共 50 条
[1]
磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P]. 
荻野真一 .
中国专利 :CN105793465B ,2016-07-20
[2]
磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P]. 
荻野真一 .
中国专利 :CN104221085B ,2014-12-17
[3]
磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P]. 
荻野真一 .
中国专利 :CN107075665A ,2017-08-18
[4]
磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
高见英生 ;
奈良淳史 ;
荻野真一 .
中国专利 :CN103210115B ,2013-07-17
[5]
磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
加藤和照 .
中国专利 :CN101835920B ,2010-09-15
[6]
磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
高见英生 ;
奈良淳史 ;
荻野真一 ;
中村祐一郎 .
中国专利 :CN103168328B ,2013-06-19
[7]
磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
高见英生 ;
奈良淳史 ;
荻野真一 .
中国专利 :CN104975264B ,2015-10-14
[8]
磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P]. 
荻野真一 ;
奈良淳史 ;
高见英生 .
中国专利 :CN103262166B ,2013-08-21
[9]
磁记录膜用溅射靶 [P]. 
荻野真一 ;
中村祐一郎 .
中国专利 :CN103459656A ,2013-12-18
[10]
磁记录膜用溅射靶 [P]. 
荻野真一 .
中国专利 :CN104145306A ,2014-11-12
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