磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380020065.6

申请日：

2013-07-10

公开(公告)号：

CN104221085B

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

荻野真一

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G11B5851

IPC分类号：

C23C1434 G11B564 G11B565

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	公开	公开
2017-05-24	授权	授权
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594973198 IPC(主分类):G11B 5/851 专利申请号:2013800200656 申请日:20130710

共 50 条

[1]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN105793465B ,2016-07-20

[2]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN109943814A ,2019-06-28

[3]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN107075665A ,2017-08-18

[4]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 ;

奈良淳史 ;

高见英生 .

中国专利 :CN103262166B ,2013-08-21

[5]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

高见英生 ;

奈良淳史 ;

荻野真一 .

中国专利 :CN103210115B ,2013-07-17

[6]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

加藤和照 .

中国专利 :CN101835920B ,2010-09-15

[7]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

高见英生 ;

奈良淳史 ;

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103168328B ,2013-06-19

[8]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

高见英生 ;

奈良淳史 ;

荻野真一 .

中国专利 :CN104975264B ,2015-10-14

[9]

磁记录膜用溅射靶 [P].

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103459656A ,2013-12-18

[10]

磁记录膜用溅射靶 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN104145306A ,2014-11-12

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