氮化硅膜及其制造方法与其制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480063046.6

申请日：

2014-11-17

公开(公告)号：

CN105765705B

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

村上彰一畑下晶保高洋志山胁正也

申请人：

申请人地址：

日本国东京都千代田区大手町1丁目3番2号经团连会馆15楼

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

C23C1642 H01L2131

代理机构：

北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279

代理人：

王正茂;丛芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	公开	公开
2019-09-03	授权	授权
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688778440 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2014800630466 申请日:20141117

共 50 条

[1]

氮化硅膜的制造方法 [P].

王湘莹 ;

杨能辉 ;

林焕顺 .

中国专利 :CN1828848A ,2006-09-06

[2]

非晶质氮化硅膜及其制造方法 [P].

上野智子 ;

铃木正康 ;

小西善之 ;

东和文 .

中国专利 :CN103119197A ,2013-05-22

[3]

氮化硅制造方法 [P].

王桂磊 ;

秦长亮 ;

李俊峰 ;

赵超 .

中国专利 :CN103839800A ,2014-06-04

[4]

氮化硅粉末及其制造方法、和氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN118922396A ,2024-11-08

[5]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120916972A ,2025-11-07

[6]

氮化硅体及其制造方法 [P].

V·K·普加利 ;

W·T·柯林斯 .

中国专利 :CN101595077A ,2009-12-02

[7]

氮化硅薄膜及其制造方法 [P].

A·B·查克拉瓦蒂 ;

S·纳拉辛哈 ;

V·陈 ;

J·霍尔特 ;

S·N·查克拉瓦蒂 .

中国专利 :CN100459065C ,2005-11-09

[8]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

中国专利 :CN113614035A ,2021-11-05

[9]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

宫下敏行 ;

中村祐三 .

中国专利 :CN113614034A ,2021-11-05

[10]

氮化硅预烧体以及其制造方法、氮化硅粉末的制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120835866A ,2025-10-24

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