氮化硅制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210473382.0

申请日：

2012-11-20

公开(公告)号：

CN103839800A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

王桂磊秦长亮李俊峰赵超

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3#

IPC主分类号：

H01L21318

IPC分类号：

代理机构：

北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627810564 IPC(主分类):H01L 21/318 专利申请号:2012104733820 申请日:20121120
2014-06-04	公开	公开
2019-10-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/318 申请公布日:20140604

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷制造方法 [P].

宁晓山 ;

吕鑫 ;

徐伟 ;

周和平 ;

陈克新 .

中国专利 :CN1246253C ,2005-03-23

[2]

氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法 [P].

加贺洋一郎 .

中国专利 :CN103781742A ,2014-05-07

[3]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[4]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

中国专利 :CN113614035A ,2021-11-05

[5]

氮化硅粉末及其制造方法、和氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN118922396A ,2024-11-08

[6]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120916972A ,2025-11-07

[7]

氮化硅预烧体以及其制造方法、氮化硅粉末的制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120835866A ,2025-10-24

[8]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

宫下敏行 ;

中村祐三 .

中国专利 :CN113614034A ,2021-11-05

[9]

氮化硅粉末的制造方法以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120835865A ,2025-10-24

[10]

氮化硅基板的制造方法 [P].

岛田馨 ;

今村寿之 .

日本专利 :CN119032072A ,2024-11-26

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