氮化硅粉末的制造方法以及氮化硅烧结体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480017878.8

申请日：

2024-01-29

公开(公告)号：

CN120835865A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

五十岚厚树镰田一辉平田贤史长与龙之介小桥圣治

申请人：

电化株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B21/068

IPC分类号：

C04B35/587

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

田川婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 21/068申请日:20240129

共 50 条

[1]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

中国专利 :CN113614035A ,2021-11-05

[2]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

宫下敏行 ;

中村祐三 .

中国专利 :CN113614034A ,2021-11-05

[3]

氮化硅预烧体以及其制造方法、氮化硅粉末的制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120835866A ,2025-10-24

[4]

氮化硅粉末、氮化硅烧结体和电路基板、以及氮化硅粉末的制造方法 [P].

山尾猛 ;

本田道夫 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN106470939A ,2017-03-01

[5]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120916972A ,2025-11-07

[6]

氮化硅粉末及其制造方法、和氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN118922396A ,2024-11-08

[7]

氮化硅粉末和氮化硅质烧结体的制造方法 [P].

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

藤井孝行 ;

山田哲夫 .

日本专利 :CN118871385A ,2024-10-29

[8]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[9]

生片、氮化硅烧结体的制造方法及氮化硅烧结体 [P].

草野大 ;

后藤邦拓 .

日本专利 :CN118119577A ,2024-05-31

[10]

氮化硅烧结体及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN118541339A ,2024-08-23

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