氮化硅粉末和氮化硅质烧结体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380027880.9

申请日：

2023-03-15

公开(公告)号：

CN118871385A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

王丸卓司柴田耕司藤井孝行山田哲夫

申请人：

UBE株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C01B21/068

IPC分类号：

C04B35/587

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	公开	公开
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 21/068申请日:20230315

共 50 条

[1]

氮化硅粉末、氮化硅烧结体和电路基板、以及氮化硅粉末的制造方法 [P].

山尾猛 ;

本田道夫 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN106470939A ,2017-03-01

[2]

氮化硅粉末及其制造方法、和氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN118922396A ,2024-11-08

[3]

氮化硅粉末的制造方法以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120835865A ,2025-10-24

[4]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

中国专利 :CN113614035A ,2021-11-05

[5]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

宫下敏行 ;

中村祐三 .

中国专利 :CN113614034A ,2021-11-05

[6]

氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

五十岚厚树 ;

镰田一辉 ;

平田贤史 ;

长与龙之介 ;

小桥圣治 .

日本专利 :CN120916972A ,2025-11-07

[7]

氮化硅粉末的制造方法和氮化硅粉末以及氮化硅烧结体和使用其的电路基板 [P].

柴田耕司 ;

王丸卓司 ;

山尾猛 ;

藤永昌孝 ;

本田道夫 ;

藤井孝行 .

中国专利 :CN104203813A ,2014-12-10

[8]

氮化硅烧结体及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN118541339A ,2024-08-23

[9]

氮化硅质烧结体 [P].

广濑康平 ;

齐藤慎太郎 ;

藤崎宏 ;

古久保洋二 .

日本专利 :CN118871407A ,2024-10-29

[10]

氮化硅粉末 [P].

中村祐三 ;

宫下敏行 .

日本专利 :CN120774721A ,2025-10-14

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