氮化硅质烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380023526.9

申请日：

2023-02-13

公开(公告)号：

CN118871407A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

广濑康平齐藤慎太郎藤崎宏古久保洋二

申请人：

京瓷株式会社

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

C04B35/596

IPC分类号：

C04B35/591

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

马长玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	公开	公开
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/596申请日:20230213

共 50 条

[1]

氮化硅烧结体 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN119968349A ,2025-05-09

[2]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN121175284A ,2025-12-19

[3]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN120152947A ,2025-06-13

[4]

氮化硅粉末和氮化硅质烧结体的制造方法 [P].

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

藤井孝行 ;

山田哲夫 .

日本专利 :CN118871385A ,2024-10-29

[5]

氮化硅质烧结体、轴承用滚动体、氮化硅质生坯球和轴承 [P].

松尾优作 ;

宫坂聪史 ;

古川智己 ;

横山悠太 ;

高浪健太郎 ;

小川修平 ;

田山京子 ;

伊藤孟 ;

镜好晴 ;

原田和人 .

日本专利 :CN120712244A ,2025-09-26

[6]

氮化硅质烧结体及导热构件 [P].

平野义宜 ;

大田瑞穗 ;

石川和洋 ;

织田武广 .

中国专利 :CN104470872A ,2015-03-25

[7]

氮化硅烧结体及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN118541339A ,2024-08-23

[8]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[9]

氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件 [P].

青木克之 ;

小松通泰 ;

船木开 ;

山口晴彦 .

中国专利 :CN104768900A ,2015-07-08

[10]

生片、氮化硅烧结体的制造方法及氮化硅烧结体 [P].

草野大 ;

后藤邦拓 .

日本专利 :CN118119577A ,2024-05-31

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