氮化硅烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380076350.3

申请日：

2023-10-24

公开(公告)号：

CN120152947A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

石本龙二草野大

申请人：

株式会社德山

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C04B35/591

IPC分类号：

H01L23/15

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

吴宗颐

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/591申请日:20231024
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅烧结体 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN119968349A ,2025-05-09

[2]

氮化硅烧结体 [P].

石本龙二 ;

草野大 .

日本专利 :CN121175284A ,2025-12-19

[3]

氮化硅烧结体及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN118541339A ,2024-08-23

[4]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[5]

氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件 [P].

青木克之 ;

小松通泰 ;

船木开 ;

山口晴彦 .

中国专利 :CN104768900A ,2015-07-08

[6]

生片、氮化硅烧结体的制造方法及氮化硅烧结体 [P].

草野大 ;

后藤邦拓 .

日本专利 :CN118119577A ,2024-05-31

[7]

氮化硅质烧结体 [P].

广濑康平 ;

齐藤慎太郎 ;

藤崎宏 ;

古久保洋二 .

日本专利 :CN118871407A ,2024-10-29

[8]

氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

山形荣人 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

宝槻直十 .

日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03

[9]

氮化硅烧结体、耐磨性构件及氮化硅烧结体的制造方法 [P].

佐野翔哉 ;

青木克之 ;

船木开 ;

大久保和也 .

日本专利 :CN119874385A ,2025-04-25

[10]

氮化硅烧结体及其制造方法 [P].

中畑成二 ;

竹内久雄 ;

山川晃 .

中国专利 :CN1142218A ,1997-02-05

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