氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980042179.8

申请日：

2019-07-30

公开(公告)号：

CN112313191B

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

青木克之岩井健太郎深泽孝幸门马旬佐野孝

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B35587

IPC分类号：

H01L2315 H01L2336 H01L23373 H05K103

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-02	公开	公开
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/587 申请日:20190730
2022-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

[2]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN117998732A ,2024-05-07

[3]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN112292912B ,2024-03-08

[4]

氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

山形荣人 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

宝槻直十 .

日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03

[5]

高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

五户康广 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

山形荣人 .

日本专利 :CN117794883A ,2024-03-29

[6]

氮化硅粉末、氮化硅烧结体和电路基板、以及氮化硅粉末的制造方法 [P].

山尾猛 ;

本田道夫 ;

治田慎辅 .

中国专利 :CN106470939A ,2017-03-01

[7]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

中山宪隆 ;

青木克之 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN108276008B ,2018-07-13

[8]

氮化硅电路基板 [P].

杨金雷 .

中国专利 :CN217847946U ,2022-11-18

[9]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

中山宪隆 ;

青木克之 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN105683129A ,2016-06-15

[10]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

松本逸晖 .

日本专利 :CN120188275A ,2025-06-20

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