氮化硅电路基板

被引：0

申请号：

CN202220743291.3

申请日：

2022-04-01

公开(公告)号：

CN217847946U

公开(公告)日：

2022-11-18

发明(设计)人：

杨金雷

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市钟楼区西林街道西林镇109号

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

代理机构：

常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233

代理人：

周文杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

[2]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN117998732A ,2024-05-07

[3]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN112292912B ,2024-03-08

[4]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[5]

氮化硅电路基板以及使用了该氮化硅电路基板的半导体模块 [P].

加藤宽正 ;

北森升 .

中国专利 :CN107251214A ,2017-10-13

[6]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

中山宪隆 ;

青木克之 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN108276008B ,2018-07-13

[7]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

中山宪隆 ;

青木克之 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN105683129A ,2016-06-15

[8]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

松本逸晖 .

日本专利 :CN120188275A ,2025-06-20

[9]

氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

山形荣人 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

宝槻直十 .

日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03

[10]

氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件 [P].

津川优太 ;

小桥圣治 ;

西村浩二 .

中国专利 :CN113632217A ,2021-11-09

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