氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202480004763.5
申请日
2024-01-19
公开(公告)号
CN120188275A
公开(公告)日
2025-06-20
发明(设计)人
松本逸晖
申请人
株式会社东芝 东芝高新材料公司
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L23/13
IPC分类号
H01L23/12 H01L23/15 H05K1/03
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
刘英华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P]. 
中山宪隆 ;
青木克之 ;
佐野孝 .
中国专利 :CN108276008B ,2018-07-13
[2]
氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P]. 
中山宪隆 ;
青木克之 ;
佐野孝 .
中国专利 :CN105683129A ,2016-06-15
[3]
氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P]. 
青木克之 ;
深泽孝幸 ;
门马旬 ;
岩井健太郎 .
中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29
[4]
氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P]. 
青木克之 ;
深泽孝幸 ;
门马旬 ;
岩井健太郎 .
日本专利 :CN117998732A ,2024-05-07
[5]
氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P]. 
青木克之 ;
深泽孝幸 ;
门马旬 ;
岩井健太郎 .
日本专利 :CN112292912B ,2024-03-08
[6]
氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P]. 
青木克之 ;
岩井健太郎 ;
深泽孝幸 ;
门马旬 ;
佐野孝 .
中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02
[7]
氮化硅电路基板 [P]. 
杨金雷 .
中国专利 :CN217847946U ,2022-11-18
[8]
氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P]. 
青木克之 ;
山形荣人 ;
岩井健太郎 ;
深泽孝幸 ;
宝槻直十 .
日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03
[9]
氮化硅基板及其制造方法,以及使用该氮化硅基板的氮化硅电路基板和半导体模块 [P]. 
加贺洋一 ;
渡边纯一 .
中国专利 :CN102105418A ,2011-06-22
[10]
氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件 [P]. 
津川优太 ;
小桥圣治 ;
西村浩二 .
中国专利 :CN113632217A ,2021-11-09