氮化硅基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380027399.X

申请日：

2023-03-30

公开(公告)号：

CN119032072A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

岛田馨今村寿之

申请人：

株式会社博迈立铖

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B35/587

IPC分类号：

C01B21/06 C04B35/64 H05K1/03

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

赵雨桐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/587申请日:20230330

共 50 条

[1]

氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法 [P].

加贺洋一郎 .

中国专利 :CN103781742A ,2014-05-07

[2]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[3]

氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN108495831B ,2018-09-04

[4]

氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN114380603B ,2022-04-22

[5]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[6]

用于制造氮化硅基板的组合物及通过其制造的氮化硅基板 [P].

安咏晙 ;

李吉善 ;

申正均 ;

郑勋 ;

吴昌祐 ;

尹国昊 .

韩国专利 :CN121039082A ,2025-11-28

[7]

用于制造氮化硅基板的组合物及通过其制造的氮化硅基板 [P].

安咏晙 ;

李吉善 ;

申正均 ;

郑勋 ;

吴昌祐 .

韩国专利 :CN121057716A ,2025-12-02

[8]

氮化硅基板及其制造方法,以及使用该氮化硅基板的氮化硅电路基板和半导体模块 [P].

加贺洋一 ;

渡边纯一 .

中国专利 :CN102105418A ,2011-06-22

[9]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[10]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

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