用于制造氮化硅基板的组合物及通过其制造的氮化硅基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480027116.6

申请日：

2024-02-22

公开(公告)号：

CN121039082A

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

安咏晙李吉善申正均郑勋吴昌祐尹国昊

申请人：

阿莫善斯有限公司

申请人地址：

韩国忠清南道天安市西北区稷山邑4单元5街90

IPC主分类号：

C04B35/587

IPC分类号：

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

李斌;张刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/587申请日:20240222
2025-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造氮化硅基板的组合物及通过其制造的氮化硅基板 [P].

安咏晙 ;

李吉善 ;

申正均 ;

郑勋 ;

吴昌祐 .

韩国专利 :CN121057716A ,2025-12-02

[2]

氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法 [P].

加贺洋一郎 .

中国专利 :CN103781742A ,2014-05-07

[3]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[4]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

中山宪隆 ;

青木克之 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN108276008B ,2018-07-13

[5]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

中山宪隆 ;

青木克之 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN105683129A ,2016-06-15

[6]

氮化硅基板的制造方法 [P].

岛田馨 ;

今村寿之 .

日本专利 :CN119032072A ,2024-11-26

[7]

氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 [P].

松本逸晖 .

日本专利 :CN120188275A ,2025-06-20

[8]

氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN108495831B ,2018-09-04

[9]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

[10]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN117998732A ,2024-05-07

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