一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710767384.3

申请日：

2017-08-31

公开(公告)号：

CN107768518B

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙孙月梅袁丽眭永兴

申请人：

申请人地址：

213001 江苏省常州市中吴大道1801号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

刘娟娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-06	公开	公开
2019-11-12	授权	授权
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170831

共 50 条

[1]

用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

潘佳浩 ;

吴小丽 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN104795494A ,2015-07-22

[2]

用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法 [P].

胡益丰 ;

潘佳浩 ;

吴小丽 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108258114B ,2018-07-06

[3]

一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN108598256B ,2018-09-28

[4]

用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105489758B ,2016-04-13

[5]

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN104934533A ,2015-09-23

[6]

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108321295A ,2018-07-24

[7]

一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

吴世臣 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 ;

沈大华 .

中国专利 :CN108539013B ,2018-09-14

[8]

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108447986A ,2018-08-24

[9]

用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

邹华 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

眭永兴 ;

郑龙 ;

吴卫华 ;

吴世臣 ;

袁丽 ;

薛建忠 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN104900807B ,2015-09-09

[10]

一种超晶格相变薄膜及相变存储器 [P].

程晓敏 ;

张博凯 ;

曾运韬 ;

缪向水 ;

马平 ;

廖宇 ;

石晓钟 .

中国专利 :CN115589770A ,2023-01-10

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