学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810384125.7
申请日：
2015-12-07
公开(公告)号：
CN108447986A
公开(公告)日：
2018-08-24
发明(设计)人：
朱小芹 胡益丰 邹华 袁丽 吴卫华 郑龙 张建豪 吴世臣 眭永兴
申请人：
申请人地址：
213001 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号
IPC主分类号：
H01L4500
IPC分类号：
代理机构：
常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214
代理人：
孙培英
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-01-01 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20180824
2018-09-18 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20151207
2018-08-24 公开 公开
共 50 条
[1]
一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P]. 
朱小芹 ;
胡益丰 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
郑龙 ;
张建豪 ;
吴世臣 ;
眭永兴 .
中国专利 :CN108321295A ,2018-07-24
[2]
用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P]. 
朱小芹 ;
胡益丰 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
郑龙 ;
张建豪 ;
吴世臣 ;
眭永兴 .
中国专利 :CN105489758B ,2016-04-13
[3]
一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法 [P]. 
胡益丰 ;
朱小芹 ;
吴世臣 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
张建豪 ;
眭永兴 ;
沈大华 .
中国专利 :CN108598256B ,2018-09-28
[4]
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法 [P]. 
胡益丰 ;
潘佳浩 ;
吴小丽 ;
朱小芹 ;
吴世臣 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
张建豪 ;
眭永兴 .
中国专利 :CN108258114B ,2018-07-06
[5]
一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P]. 
胡益丰 ;
朱小芹 ;
吴世臣 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
张建豪 ;
眭永兴 ;
沈大华 .
中国专利 :CN108539013B ,2018-09-14
[6]
用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P]. 
胡益丰 ;
朱小芹 ;
吴世臣 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
张建豪 ;
眭永兴 ;
沈大华 .
中国专利 :CN104934533A ,2015-09-23
[7]
用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P]. 
胡益丰 ;
潘佳浩 ;
吴小丽 ;
朱小芹 ;
吴世臣 ;
邹华 ;
袁丽 ;
吴卫华 ;
张建豪 ;
眭永兴 .
中国专利 :CN104795494A ,2015-07-22
[8]
用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 [P]. 
凌云 ;
龚岳峰 ;
宋志棠 ;
封松林 .
中国专利 :CN101488557B ,2009-07-22
[9]
用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料 [P]. 
韩晓东 ;
成岩 ;
王珂 ;
张泽 ;
宋志棠 ;
刘波 ;
张挺 ;
封松林 .
中国专利 :CN100590903C ,2008-09-03
[10]
一种超晶格相变薄膜及相变存储器 [P]. 
程晓敏 ;
张博凯 ;
曾运韬 ;
缪向水 ;
马平 ;
廖宇 ;
石晓钟 .
中国专利 :CN115589770A ,2023-01-10
12345