用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910046486.1

申请日：

2009-02-23

公开(公告)号：

CN101488557B

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

凌云龚岳峰宋志棠封松林

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156 C22C1200

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-22	公开	公开
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-20	授权	授权

共 50 条

[1]

用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488558A ,2009-07-22

[2]

用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料 [P].

韩晓东 ;

成岩 ;

王珂 ;

张泽 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

张挺 ;

封松林 .

中国专利 :CN100590903C ,2008-09-03

[3]

用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

张胤 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN101132049A ,2008-02-27

[4]

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108321295A ,2018-07-24

[5]

用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105489758B ,2016-04-13

[6]

用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料 [P].

王国祥 ;

沈祥 ;

徐培鹏 ;

吕业刚 ;

陈益敏 ;

田曼曼 ;

李军建 ;

戴世勋 ;

聂秋华 ;

徐铁峰 .

中国专利 :CN104328326A ,2015-02-04

[7]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[8]

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108447986A ,2018-08-24

[9]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361B ,2024-05-24

[10]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361A ,2021-11-02

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