用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410473416.5

申请日：

2014-09-17

公开(公告)号：

CN104328326A

公开(公告)日：

2015-02-04

发明(设计)人：

王国祥沈祥徐培鹏吕业刚陈益敏田曼曼李军建戴世勋聂秋华徐铁峰

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

C22C3006

IPC分类号：

C23C1435 C23C1414 H01L4500

代理机构：

宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226

代理人：

蔡菡华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	公开	公开
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101600396960 IPC(主分类):C22C 30/06 专利申请号:2014104734165 申请日:20140917
2016-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488558A ,2009-07-22

[2]

用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488557B ,2009-07-22

[3]

一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法 [P].

沈祥 ;

王国祥 ;

聂秋华 ;

陈益敏 ;

李军建 ;

徐铁峰 ;

戴世勋 ;

吕业刚 .

中国专利 :CN103247757B ,2013-08-14

[4]

用于相变存储器的相变材料 [P].

任堃 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

彭程 ;

宋宏甲 ;

刘波 .

中国专利 :CN103050621A ,2013-04-17

[5]

用于相变存储器的相变材料 [P].

任堃 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 .

中国专利 :CN103050620A ,2013-04-17

[6]

一种用于多态相变存储器的Zn-Sb-Bi薄膜材料及其制备方法 [P].

王国祥 ;

师道田 ;

刘鹏 ;

沈祥 ;

聂秋华 ;

吕业刚 .

中国专利 :CN107946460B ,2018-04-20

[7]

用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料 [P].

韩晓东 ;

成岩 ;

王珂 ;

张泽 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

张挺 ;

封松林 .

中国专利 :CN100590903C ,2008-09-03

[8]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[9]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[10]

适用于相变存储器的相变材料及相变存储器 [P].

马平 ;

李响 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN113140674A ,2021-07-20

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