用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810103803.4

申请日：

2008-04-11

公开(公告)号：

CN100590903C

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

韩晓东成岩王珂张泽宋志棠刘波张挺封松林

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156 G11C1602 G11B7243 C22C1200

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

刘萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	授权	授权
2016-06-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101663120630 IPC(主分类):H01L 45/00 专利号:ZL2008101038034 申请日:20080411 授权公告日:20100217 终止日期:20150411
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488557B ,2009-07-22

[2]

用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

张胤 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN101132049A ,2008-02-27

[3]

用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488558A ,2009-07-22

[4]

用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

乔保卫 ;

赖云锋 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100364132C ,2006-03-08

[5]

用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

乔保卫 ;

赖云峰 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100511749C ,2008-01-09

[6]

一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN108321295A ,2018-07-24

[7]

用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

乔保卫 ;

赖云峰 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100477318C ,2008-01-09

[8]

用于相变存储器的Si-Sb-Te材料 [P].

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

任堃 ;

周夕淋 .

中国专利 :CN102130298A ,2011-07-20

[9]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[10]

用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 [P].

朱小芹 ;

胡益丰 ;

邹华 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

张建豪 ;

吴世臣 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105489758B ,2016-04-13

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