用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710044701.5

申请日：

2007-08-09

公开(公告)号：

CN101132049A

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

冯洁张胤蔡炳初陈邦明

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156 C22C1200 G11B7243

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-27	公开	公开

共 50 条

[1]

用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

乔保卫 ;

赖云锋 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100364132C ,2006-03-08

[2]

用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

乔保卫 ;

赖云峰 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100511749C ,2008-01-09

[3]

用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

乔保卫 ;

赖云峰 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100477318C ,2008-01-09

[4]

用于相变存储器的纳米复合多层相变薄膜材料 [P].

翟继卫 ;

汪昌州 ;

沈波 ;

孙明成 .

中国专利 :CN102117885A ,2011-07-06

[5]

用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料 [P].

韩晓东 ;

成岩 ;

王珂 ;

张泽 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

张挺 ;

封松林 .

中国专利 :CN100590903C ,2008-09-03

[6]

用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488557B ,2009-07-22

[7]

用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料 [P].

凌云 ;

龚岳峰 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN101488558A ,2009-07-22

[8]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361B ,2024-05-24

[9]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361A ,2021-11-02

[10]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

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