光电半导体组件和制造光电半导体组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980010010.4

申请日：

2019-01-23

公开(公告)号：

CN111727512A

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

M·希恩 M·戈尔德巴赫 M·齐茨尔施佩格 L·派克

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L3348 H01L3300 H01L3350

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张涛;刘春元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-29	公开	公开
2021-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/62 申请日:20190123

共 50 条

[1]

光电半导体组件和制造光电半导体组件的方法 [P].

M·希恩 ;

M·戈尔德巴赫 ;

M·齐茨尔施佩格 ;

L·派克 .

德国专利 :CN111727512B ,2025-06-03

[2]

光电半导体芯片和光电半导体组件 [P].

亚当·鲍尔 .

中国专利 :CN105144414B ,2015-12-09

[3]

光电半导体组件 [P].

安德烈亚斯·多布纳 ;

约尔格·索尔格 ;

拉尔夫·维尔特 .

中国专利 :CN103843164A ,2014-06-04

[4]

光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法 [P].

约尔格·埃里克·佐格 ;

克里斯托夫·科勒 ;

安德烈亚斯·多布纳 .

中国专利 :CN111492495A ,2020-08-04

[5]

光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法 [P].

约尔格·埃里克·佐格 ;

克里斯托夫·科勒 ;

安德烈亚斯·多布纳 .

德国专利 :CN111492495B ,2024-04-30

[6]

光电半导体组件 [P].

M.恩格尔 ;

J.E.索尔格 ;

T.蔡勒 ;

J.赖尔 .

中国专利 :CN102292836A ,2011-12-21

[7]

光电半导体组件 [P].

苏宏元 ;

吴忠展 ;

苏淑云 .

中国专利 :CN2710168Y ,2005-07-13

[8]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

布丽塔·格厄特茨 ;

沃尔特·韦格莱特 ;

斯特凡·格勒奇 .

中国专利 :CN107004692B ,2017-08-01

[9]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

约恩·斯托 ;

托马斯·施瓦茨 ;

弗兰克·辛格 ;

格奥尔格·迪舍尔 ;

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN105531835B ,2016-04-27

[10]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

W·韦格莱特 ;

R·沃思 ;

B·巴克曼 .

中国专利 :CN101978515A ,2011-02-16

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