光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480050633.1

申请日：

2014-08-25

公开(公告)号：

CN105531835B

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

于尔根·莫斯布格尔约恩·斯托托马斯·施瓦茨弗兰克·辛格格奥尔格·迪舍尔卢茨·赫佩尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L3360 H01L3354

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;李建航

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662101025 IPC(主分类):H01L 33/62 专利申请号:2014800506331 申请日:20140825
2016-04-27	公开	公开
2018-11-23	授权	授权

共 50 条

[1]

光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法 [P].

约尔格·埃里克·佐格 ;

克里斯托夫·科勒 ;

安德烈亚斯·多布纳 .

德国专利 :CN111492495B ,2024-04-30

[2]

用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 [P].

延斯·穆勒 .

中国专利 :CN111630734B ,2020-09-04

[3]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

W·韦格莱特 ;

R·沃思 ;

B·巴克曼 .

中国专利 :CN101978515A ,2011-02-16

[4]

光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法 [P].

约尔格·埃里克·佐格 ;

克里斯托夫·科勒 ;

安德烈亚斯·多布纳 .

中国专利 :CN111492495A ,2020-08-04

[5]

用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN103053024B ,2013-04-17

[6]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

布丽塔·格厄特茨 ;

沃尔特·韦格莱特 ;

斯特凡·格勒奇 .

中国专利 :CN107004692B ,2017-08-01

[7]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

多米尼克·斯科尔茨 ;

亚历山大·F·普福伊费尔 .

中国专利 :CN108292696B ,2018-07-17

[8]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

托马斯·施瓦茨 ;

弗兰克·辛格 .

中国专利 :CN107078131A ,2017-08-18

[9]

用于制造光电子半导体组件的方法以及光电子半导体组件 [P].

伊莎贝尔·奥托 .

中国专利 :CN105993075B ,2016-10-05

[10]

用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 [P].

田晓 ;

齐兵 .

中国专利 :CN110535027A ,2019-12-03

← 1 2 3 4 5 →