用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910837614.8

申请日：

2019-09-05

公开(公告)号：

CN110535027A

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

田晓齐兵

申请人：

申请人地址：

710077 陕西省西安市莲湖区西二环259号

IPC主分类号：

H01S5022

IPC分类号：

代理机构：

济南领升专利代理事务所(普通合伙) 37246

代理人：

王爱丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/022 申请公布日:20191203
2019-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/022 申请日:20190905
2019-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法 [P].

约尔格·埃里克·佐格 ;

克里斯托夫·科勒 ;

安德烈亚斯·多布纳 .

德国专利 :CN111492495B ,2024-04-30

[2]

用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 [P].

延斯·穆勒 .

中国专利 :CN111630734B ,2020-09-04

[3]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

W·韦格莱特 ;

R·沃思 ;

B·巴克曼 .

中国专利 :CN101978515A ,2011-02-16

[4]

光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法 [P].

约尔格·埃里克·佐格 ;

克里斯托夫·科勒 ;

安德烈亚斯·多布纳 .

中国专利 :CN111492495A ,2020-08-04

[5]

用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN103053024B ,2013-04-17

[6]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

布丽塔·格厄特茨 ;

沃尔特·韦格莱特 ;

斯特凡·格勒奇 .

中国专利 :CN107004692B ,2017-08-01

[7]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

多米尼克·斯科尔茨 ;

亚历山大·F·普福伊费尔 .

中国专利 :CN108292696B ,2018-07-17

[8]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

约恩·斯托 ;

托马斯·施瓦茨 ;

弗兰克·辛格 ;

格奥尔格·迪舍尔 ;

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN105531835B ,2016-04-27

[9]

光电子半导体组件和用于制造光电子半导体组件的方法 [P].

托马斯·施瓦茨 ;

弗兰克·辛格 .

中国专利 :CN107078131A ,2017-08-18

[10]

用于制造光电子半导体组件的方法以及光电子半导体组件 [P].

伊莎贝尔·奥托 .

中国专利 :CN105993075B ,2016-10-05

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