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一种半导体沉积设备及半导体设备系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011060031.8
申请日：
2020-09-30
公开(公告)号：
CN112267106A
公开(公告)日：
2021-01-26
发明(设计)人：
陈卫军
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
IPC主分类号：
C23C1654
IPC分类号：
C23C16505 C23C1634 C23C16458 C23C16455 C23C1456 C23C1450 C23C1406 H01L2102
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
林凡燕
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-01-26 公开 公开
2021-02-12 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/54 申请日:20200930
2021-12-17 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/54 申请公布日:20210126
共 50 条
[1]
一种沉积设备、半导体沉积工艺及半导体结构 [P]. 
朱海洋 .
中国专利 :CN120341103A ,2025-07-18
[2]
半导体承载系统及半导体设备 [P]. 
李华 .
中国专利 :CN119965145A ,2025-05-09
[3]
半导体沉积设备 [P]. 
沈宇鑫 ;
赵雷超 ;
郑波 ;
赵联波 ;
白明生 .
中国专利 :CN114672788A ,2022-06-28
[4]
半导体沉积设备 [P]. 
沈宇鑫 ;
赵雷超 ;
郑波 ;
赵联波 ;
白明生 .
中国专利 :CN114672788B ,2024-01-05
[5]
半导体沉积设备 [P]. 
石莉莎 ;
张霞 .
中国专利 :CN117778985A ,2024-03-29
[6]
半导体沉积方法及半导体沉积系统 [P]. 
邱立峰 ;
张丽霞 .
中国专利 :CN114075661B ,2022-02-22
[7]
半导体沉积腔室及半导体沉积设备 [P]. 
李继刚 ;
周纬 ;
朱顺利 ;
张俊 ;
张国伟 ;
王彬 .
中国专利 :CN223738133U ,2025-12-30
[8]
半导体沉积设备 [P]. 
余宏 .
中国专利 :CN206607314U ,2017-11-03
[9]
半导体沉积设备 [P]. 
归玉龙 .
中国专利 :CN223226169U ,2025-08-15
[10]
半导体薄膜沉积设备 [P]. 
郭磊 .
中国专利 :CN120776263A ,2025-10-14
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