半浮栅存储器及其制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110321937.9

申请日：

2021-03-25

公开(公告)号：

CN112909000A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

张卫朱宝陈琳孙清清

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210325
2021-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908999A ,2021-06-04

[2]

半浮栅存储器及其制造方法 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112838089A ,2021-05-25

[3]

半浮栅存储器的制造方法及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908998A ,2021-06-04

[4]

一种半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113161360A ,2021-07-23

[5]

半浮栅存储器及其制造方法和半浮栅存储器阵列 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637945B ,2015-05-20

[6]

半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

王鹏飞 .

中国专利 :CN104979355B ,2015-10-14

[7]

金属浮栅存储器及其制造方法 [P].

顾珍 ;

张磊 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN116209261B ,2025-11-07

[8]

双半浮栅光电存储器及其制备工艺 [P].

丁士进 ;

裴俊翔 ;

吴小晗 ;

张卫 .

中国专利 :CN113451428A ,2021-09-28

[9]

一种半浮栅存储器及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN111477626B ,2020-07-31

[10]

一种半浮栅存储器结构 [P].

康劲 ;

卜伟海 ;

王文博 .

中国专利 :CN104916640B ,2015-09-16

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