金属浮栅存储器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310172579.9

申请日：

2023-02-27

公开(公告)号：

CN116209261B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

顾珍张磊陈昊瑜

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H10B41/30

IPC分类号：

H01L21/28 H10D64/27

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半浮栅存储器及其制造方法和半浮栅存储器阵列 [P].

龚轶 ;

王鹏飞 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN104637945B ,2015-05-20

[2]

一种浮栅存储器的制备方法和浮栅存储器 [P].

何永 ;

冯骏 .

中国专利 :CN110838490A ,2020-02-25

[3]

半浮栅存储器及其制造方法 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112838089A ,2021-05-25

[4]

半浮栅存储器的制造方法及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908998A ,2021-06-04

[5]

半浮栅存储器及其制造工艺 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112909000A ,2021-06-04

[6]

半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 [P].

张卫 ;

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN112908999A ,2021-06-04

[7]

分立栅快闪存储器及其制造方法 [P].

杨左娅 ;

杨芸 ;

洪中山 ;

金达 ;

陆维 .

中国专利 :CN102044545A ,2011-05-04

[8]

分离栅快闪存储器及其制造方法 [P].

李勇 ;

刘艳 ;

周儒领 ;

黄淇生 ;

詹奕鹏 .

中国专利 :CN102104044B ,2011-06-22

[9]

一种浮栅存储器及其制备方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

刘钊 ;

舒清明 .

中国专利 :CN108807412A ,2018-11-13

[10]

分立栅快闪存储器及其制造方法 [P].

顾靖 .

中国专利 :CN101807577A ,2010-08-18

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