用于DRAM的刷新管理

被引：0

申请号：

CN202180038845.8

申请日：

2021-05-25

公开(公告)号：

CN115668377A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

王静詹姆斯·R·马格罗凯达尔纳特·巴拉里斯南

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C11406

IPC分类号：

G11C114093 G06F306

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

用于DRAM的刷新管理 [P].

凯文·M·布兰德尔 ;

凯达尔纳特·巴拉里斯南 ;

王静 ;

沈冠豪 .

中国专利 :CN115516563A ,2022-12-23

[2]

DRAM存储器控制器中用于有效率的刷新管理的业务感知自适应预充电调度器 [P].

纳加拉吉·阿肖克·普蒂 ;

文卡特斯瓦兰·阿南撒纳拉亚南 ;

普雷蒂·阿肖克库马尔 ;

普拉萨尔·苏尼尔库马尔·沙赫 ;

贾斯基拉特·辛格 .

美国专利 :CN118715564A ,2024-09-27

[3]

具有刷新间隔的主字线粒度的DRAM刷新控制 [P].

T·沃吉尔桑 ;

T·帕尔奇 ;

B·S·豪克尼斯 ;

J·E·林斯塔特 .

美国专利 :CN117716428A ,2024-03-15

[4]

DRAM子阵列级刷新 [P].

X·董 ;

J·徐 .

中国专利 :CN105378846A ,2016-03-02

[5]

用于DDR SDRAM接口的DRAM辅助纠错方法 [P].

牛迪民 ;

张牧天 ;

郑宏忠 ;

金炫中 ;

宋元亨 ;

崔璋石 .

中国专利 :CN107766172B ,2018-03-06

[6]

用于控制DRAM中的数据刷新的装置和方法 [P].

唐纳德·费尔顿 ;

埃姆雷·厄泽尔 ;

萨辛·伊德冈吉 .

中国专利 :CN103246853B ,2013-08-14

[7]

DRAM子阵列级自动刷新存储器控制器优化 [P].

D·V·斯里拉玛吉利 ;

J·徐 ;

X·董 .

中国专利 :CN105378847B ,2016-03-02

[8]

在DRAM装置的刷新操作期间用于多次再循环电荷的方法和电路配置 [P].

J·韩 ;

J·P·金 .

中国专利 :CN1898748A ,2007-01-17

[9]

用于DRAM接口校准的可变时钟周期 [P].

安瓦尔·卡谢穆 ;

克雷格·丹尼尔·伊顿 ;

普亚·纳杰菲·阿什蒂安 .

美国专利 :CN118489140A ,2024-08-13

[10]

用于嵌入式DRAM的刷新控制器及刷新控制方法 [P].

李宇飞 ;

陆泳 ;

杨浩 .

中国专利 :CN101640065B ,2010-02-03

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