用于DRAM接口校准的可变时钟周期

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280086458.6

申请日：

2022-12-15

公开(公告)号：

CN118489140A

公开(公告)日：

2024-08-13

发明(设计)人：

安瓦尔·卡谢穆克雷格·丹尼尔·伊顿普亚·纳杰菲·阿什蒂安

申请人：

超威半导体公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

G11C11/4076

IPC分类号：

G11C11/408 G11C11/4096

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;张静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-13	公开	公开
2025-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/4076申请日:20221215

共 50 条

[1]

用于高速接口的时钟校准的设备和方法 [P].

A·库马尔 ;

S·辛格哈尔 ;

V·拉坎帕尔 ;

K·阿姆卢特拉尔 .

中国专利 :CN103809659A ,2014-05-21

[2]

用于DDR SDRAM接口的DRAM辅助纠错方法 [P].

牛迪民 ;

张牧天 ;

郑宏忠 ;

金炫中 ;

宋元亨 ;

崔璋石 .

中国专利 :CN107766172B ,2018-03-06

[3]

经由可编程训练序列进行的专用于DRAM的接口校准 [P].

安瓦尔·卡谢穆 ;

克雷格·丹尼尔·伊顿 ;

普亚·纳杰菲·阿什蒂安 .

美国专利 :CN118511150A ,2024-08-16

[4]

用于DRAM的刷新管理 [P].

王静 ;

詹姆斯·R·马格罗 ;

凯达尔纳特·巴拉里斯南 .

中国专利 :CN115668377A ,2023-01-31

[5]

用于数据接口的读出侧校准 [P].

Y·钟 ;

C·孙 ;

J·黄 ;

M·H·M·丘 .

中国专利 :CN101067965B ,2007-11-07

[6]

单时钟周期可变长熵解码装置 [P].

王峰 ;

郑世宝 ;

董威 ;

王涛 .

中国专利 :CN1297150C ,2005-06-01

[7]

用于可变的电荷泵负载电流的动态时钟周期调制方案 [P].

G.S.雷迪 ;

P.V.P.库马尔 ;

S.亚达拉 .

中国专利 :CN106208677B ,2016-12-07

[8]

用于DRAM的刷新管理 [P].

凯文·M·布兰德尔 ;

凯达尔纳特·巴拉里斯南 ;

王静 ;

沈冠豪 .

中国专利 :CN115516563A ,2022-12-23

[9]

用于DRAM的ECC编码方法以及DRAM [P].

亚历山大 .

中国专利 :CN107039087B ,2024-07-02

[10]

用于DRAM的ECC编码方法以及DRAM [P].

亚历山大 .

中国专利 :CN107039087A ,2017-08-11

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