单向导通器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410045856.7

申请日：

2004-05-20

公开(公告)号：

CN1309165C

公开(公告)日：

2005-11-23

发明(设计)人：

陈升峰

申请人：

申请人地址：

台湾省桃园县

IPC主分类号：

H03K170814

IPC分类号：

H03K17687

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王志森;黄小临

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-04	授权	授权
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

单向导通装置 [P].

陈昇峰 .

中国专利 :CN100514841C ,2004-05-26

[2]

单向导通装置 [P].

陈升峰 .

中国专利 :CN107769759B ,2018-03-06

[3]

单向导通装置 [P].

冷中明 .

中国专利 :CN109756213A ,2019-05-14

[4]

用于MOSFET开关器件电压选择的设备 [P].

N·加涅 ;

科奈斯·P·斯诺登 .

中国专利 :CN203261303U ,2013-10-30

[5]

闪速存储器器件和系统 [P].

赖安·T·希罗斯 ;

波格丹·乔盖斯库 ;

克里斯堤涅·松特 ;

阿希什·阿芒卡 ;

维贾伊·拉加万 ;

肖恩·马尔霍兰 .

中国专利 :CN103137196A ,2013-06-05

[6]

闪速存储器器件和系统 [P].

赖安·T·希罗斯 ;

波格丹·乔盖斯库 ;

克里斯堤涅·松特 ;

阿希什·阿芒卡 ;

维贾伊·拉加万 ;

肖恩·马尔霍兰 .

中国专利 :CN105761751B ,2016-07-13

[7]

带有偏置电路的放大器件 [P].

佐藤政晴 .

中国专利 :CN1630185A ,2005-06-22

[8]

用于MOSFET开关器件电压选择的方法和设备 [P].

N·加涅 ;

科奈斯·P·斯诺登 .

中国专利 :CN103326698B ,2013-09-25

[9]

半导体器件 [P].

李铁生 ;

张磊 .

中国专利 :CN202205747U ,2012-04-25

[10]

半导体器件 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN202917488U ,2013-05-01

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