硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810147886.7

申请日：

2008-12-16

公开(公告)号：

CN101431135A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

张建国

申请人：

申请人地址：

610054四川省成都市建设北路二段四号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058492407 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008101478867 公开日:20090513
2009-05-13	公开	公开
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

硅基近红外发光薄膜材料的制备方法 [P].

张建国 .

中国专利 :CN101431136A ,2009-05-13

[2]

金属离子掺杂的纳米硅基发光材料及其制备方法 [P].

胡晓云 ;

潘静 ;

张德恺 ;

苗慧 ;

刘国敬 ;

樊君 .

中国专利 :CN101781559B ,2010-07-21

[3]

铕掺杂锌基薄膜材料及其制备方法 [P].

陶霞 ;

赵家兴 ;

郑言贞 ;

卢鑫泓 ;

陈建峰 .

中国专利 :CN103489650A ,2014-01-01

[4]

可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法 [P].

韦德远 ;

徐骏 ;

王涛 ;

陈德媛 ;

韩培高 ;

孙红程 ;

刘宇 ;

陈谷然 ;

陈坤基 ;

马忠元 ;

李伟 ;

徐岭 .

中国专利 :CN100555693C ,2008-09-24

[5]

制备纳米硅基发光复合薄膜的方法 [P].

曹则贤 ;

王永谦 ;

马利波 ;

宋蕊 .

中国专利 :CN100369202C ,2005-10-26

[6]

制备纳米硅基发光复合薄膜的方法 [P].

曹则贤 ;

马利波 ;

宋蕊 .

中国专利 :CN1687482A ,2005-10-26

[7]

一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法 [P].

马向阳 ;

陈金鑫 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN110444644A ,2019-11-12

[8]

碘掺杂钛基薄膜材料及其制备方法 [P].

陶霞 ;

侯茜 ;

郑言贞 ;

许辉 ;

陈建峰 .

中国专利 :CN101656154B ,2010-02-24

[9]

硅基稀土掺杂电致发光器件 [P].

张建国 ;

王晓欣 ;

成步文 ;

余金中 ;

王启明 .

中国专利 :CN101170847A ,2008-04-30

[10]

一种硅基铒掺杂镓酸锌薄膜电致发光器件及其制备方法 [P].

马向阳 ;

陈金鑫 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN111653652A ,2020-09-11

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