硅基近红外发光薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810147887.1

申请日：

2008-12-16

公开(公告)号：

CN101431136A

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

张建国

申请人：

申请人地址：

610054四川省成都市建设北路二段四号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-13	公开	公开
2010-12-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101058191961 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008101478871 公开日:20090513

共 50 条

[1]

硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法 [P].

张建国 .

中国专利 :CN101431135A ,2009-05-13

[2]

一种可对近红外发光调控的BTO基陶瓷材料及其制备方法 [P].

戴能利 ;

娄阳 ;

胡雄伟 ;

彭景刚 ;

杨旅云 ;

李海清 .

中国专利 :CN109485411A ,2019-03-19

[3]

近红外发光材料及其制备方法、发光装置 [P].

张宇 ;

张文 ;

罗伟 ;

陈冲 ;

周裕强 .

中国专利 :CN114836213A ,2022-08-02

[4]

硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法 [P].

许兴胜 ;

李成果 .

中国专利 :CN102820391A ,2012-12-12

[5]

近红外发光材料及其制备方法、发光装置 [P].

杜甫 ;

赵文 ;

陈磊 ;

张宇 ;

黎学文 ;

林金填 .

中国专利 :CN115216295B ,2024-02-27

[6]

一种近红外光致发光薄膜及其制备方法 [P].

姚建年 ;

詹传郎 ;

曾怡 .

中国专利 :CN102140348A ,2011-08-03

[7]

近红外长余辉发光材料、其制备方法及其应用 [P].

林利添 ;

姜伟 ;

张秋红 ;

倪海勇 ;

丁建红 ;

李许波 ;

谢伟 .

中国专利 :CN110724530B ,2020-01-24

[8]

一种近红外发光材料及其制备方法 [P].

赵瑾 .

中国专利 :CN110699079B ,2020-01-17

[9]

近红外发光材料及其制备方法和发光器件 [P].

林金填 ;

杜甫 ;

陈磊 ;

赵文 ;

蔡瑜 ;

李金月 .

中国专利 :CN113930243B ,2022-01-14

[10]

近红外发光材料及其制备方法、LED发光装置 [P].

杜甫 ;

罗伟 ;

周裕强 ;

林敏怡 ;

赵文 ;

蔡济隆 ;

林金填 .

中国专利 :CN114437723B ,2022-05-06

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