半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310542825.1

申请日：

2013-11-05

公开(公告)号：

CN104617093B

公开(公告)日：

2015-05-13

发明(设计)人：

三重野文健

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2177

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	公开	公开
2018-02-16	授权	授权
2015-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101612421057 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2013105428251 申请日:20131105

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN114864689A ,2022-08-05

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

丁亚 ;

杨林宏 ;

张艳红 ;

杜义琛 ;

陈秋颖 .

中国专利 :CN117672973A ,2024-03-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

黄兴凯 .

中国专利 :CN118632531A ,2024-09-10

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885B ,2024-03-22

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

魏兰英 .

中国专利 :CN113496885A ,2021-10-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104900501A ,2015-09-09

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN117352390A ,2024-01-05

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN107170704A ,2017-09-15

← 1 2 3 4 5 →