基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510540862.8

申请日：

2015-08-28

公开(公告)号：

CN105140185A

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

刘翔宇胡辉勇张鹤鸣宋建军舒斌宣荣喜

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L29423 H01L2984 H01L29167

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640714606 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015105408628 申请日:20150828
2015-12-09	公开	公开
2019-12-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20151209

共 50 条

[1]

应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244319A ,2016-01-13

[2]

应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105118809A ,2015-12-02

[3]

异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105206584A ,2015-12-30

[4]

基于GOI的增强型NMOS形成的应变SiGe CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 .

中国专利 :CN104992931A ,2015-10-21

[5]

基于SOI的应变Si沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105206583A ,2015-12-30

[6]

基于SOI的应变Ge沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

苗渊浩 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244320A ,2016-01-13

[7]

应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 .

中国专利 :CN104992930A ,2015-10-21

[8]

SOI BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法 [P].

宋建军 ;

胡辉勇 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

李妤晨 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102723339A ,2012-10-10

[9]

一种SOI应变SiGe CMOS集成器件及制备方法 [P].

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宣荣喜 ;

王海栋 ;

吕懿 ;

郝跃 .

中国专利 :CN102738179B ,2012-10-17

[10]

异沟道CMOS集成器件及其制备方法 [P].

胡辉勇 ;

刘翔宇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 .

中国专利 :CN104966716B ,2015-10-07

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