异沟道CMOS集成器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510394327.6

申请日：

2015-07-07

公开(公告)号：

CN104966716B

公开(公告)日：

2015-10-07

发明(设计)人：

胡辉勇刘翔宇王斌张鹤鸣宋建军宣荣喜舒斌

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

汤东凤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101632844597 IPC(主分类):H01L 27/105 专利申请号:2015103943276 申请日:20150707
2015-10-07	公开	公开
2018-01-02	授权	授权
2021-08-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/105 登记生效日:20210812 变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院变更事项:地址变更前权利人:710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更后权利人:401332 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼1单元

共 50 条

[1]

应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 .

中国专利 :CN104992930A ,2015-10-21

[2]

异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105206584A ,2015-12-30

[3]

应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105118809A ,2015-12-02

[4]

基于SOI的应变Ge沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

苗渊浩 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244320A ,2016-01-13

[5]

直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法 [P].

包文涛 ;

宋建军 ;

刘伟峰 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107546177B ,2018-01-05

[6]

基于SOI的应变Si沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105206583A ,2015-12-30

[7]

应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 [P].

刘翔宇 ;

王斌 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105244319A ,2016-01-13

[8]

基于GOI的应变SiGe沟道槽型栅CMOS集成器件的制备方法 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105140185A ,2015-12-09

[9]

SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法 [P].

蔡丽莹 ;

宋建军 ;

黄云霞 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107546176B ,2018-01-05

[10]

带隙改性Ge CMOS集成器件及其制备方法 [P].

曹世杰 ;

宣荣喜 ;

魏青 ;

宋建军 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN106024717A ,2016-10-12

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