一种三氧化钨电致变色薄膜的再生方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811433347.X

申请日：

2018-11-28

公开(公告)号：

CN109537016B

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

刘涌滑晨铮韩高荣汪建勋

申请人：

申请人地址：

310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G02F11523

IPC分类号：

C25D904 C25B100

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20181128
2020-11-03	授权	授权
2019-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种普鲁士蓝/三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

刘涌 ;

滑晨铮 ;

韩高荣 ;

汪建勋 .

中国专利 :CN109437241A ,2019-03-08

[2]

一种钒掺杂的三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王诗铭 ;

金智恩 ;

刘琳 ;

郭前程 ;

曲威 .

中国专利 :CN106587654A ,2017-04-26

[3]

一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P].

张溪文 ;

陈益 .

中国专利 :CN107216045A ,2017-09-29

[4]

一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P].

尹伊 ;

朱皓宇 ;

吴涛 .

中国专利 :CN113549882B ,2021-10-26

[5]

一种氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

杨晔 ;

赵文凯 ;

宋伟杰 ;

兰品军 ;

李佳 .

中国专利 :CN110642526A ,2020-01-03

[6]

一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王秀丽 ;

蔡国发 ;

周鼎 ;

谷长栋 ;

涂江平 .

中国专利 :CN103395842A ,2013-11-20

[7]

多孔氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

姚爱华 ;

宋艳玲 .

中国专利 :CN113264690B ,2021-08-17

[8]

一种钒掺杂晶态三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

袁家虎 ;

崔月华 ;

杨锋 .

中国专利 :CN114180850A ,2022-03-15

[9]

一种高调制比三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

刘坚强 ;

安丰辉 ;

吴纪政 ;

袁聿峥 .

中国专利 :CN115469493B ,2025-06-27

[10]

一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

邹友生 ;

窦康 ;

曾海波 ;

王沙龙 ;

董宇航 .

中国专利 :CN105366954B ,2016-03-02

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